CNET报导，英特尔（Intel）与美光科技公司（Micron Technology）7月29日联合发布一种新型记忆体晶片〝3D Xpoint〞（发音为3D Cross Point），速度比传统方式快一千倍，耐用度增加一千倍，密度高出10倍，可以用于系统存储器和非易失性存储，也即可以替换现在的SSD和RAM，让个人电脑和智能手机等设备速度飞增。
英特尔与美光表示，3D XPoint技术是迄今储存晶片技术一个重大的突破，是1989年NAND Flash推出以来，开启全新类别的非挥发性记忆体（NVM）。CNET报导评价：〝3D XPoint的存储数据的方式，与现在的NAND技术采用了完全不同的方式。〞〝不再是传统方法的在电容上存储细胞，而是改变存储细胞的属性。〞
大纪元引述彭博社报导，3D XPoint新技术完全改变了储存晶片的架构，整个技术以垂直导体连结1280亿个高密度规格记忆体储存单元，并堆叠出来的交叉式阵列结构，改善过去经常发生因储存晶片（或硬碟）导致的延缓情况。
英特尔副总克罗希（Rob Crooke）表示，数十年来，业界都在寻找降低处理器与资料间滞后的方法，容许更快速的分析。〝这种新型的非挥发性记忆体达到这个目标，对解决记忆体与储存器间问题，带来突破性的变革〞。
不过3D XPoint尽管很快会量产，但其价格定位比NAND Flash高很多，所以短时间内3D XPoint仍无法代替RAM。
预计从2016年开始，使用3D XPoint技术的新产品将提供给消费者。
来源：新唐人
